存储芯片领域，中国迎来打破美日韩垄断关键一战

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在这一领域，中国迎来打破美日韩垄断关键一战

长江存储64层3D NAND闪存晶圆（长江存储官网）

参考消息网9月11日报道 港媒称，紫光集团旗下长江存储近日宣布，已开始量产基于自主研发Xtacking架构的64层三维闪存（3D NAND），容量为256Gb，以满足固态硬盘（SSD）嵌入式存储等主流市场应用的需求，这也是中国首款64层三维闪存芯片，将使中国与世界一线三维闪存企业的技术差距缩短到两年以内，被视为中国打破美日韩垄断关键一战。

据香港《大公报》近日报道，长江存储官网消息，上海中国国际半导体博览会举行前夕，公司宣布已开始量产基于XtackingR架构的64层“三阶储存单元”3D NAND闪存。作为中国首款64层3D NAND闪存，该产品将亮相博览会紫光集团展台。

所谓3D NAND是通过将原本平铺的储存单元堆叠起来，形成多层结构提供容量，使原本只有1层的储存单元堆叠成64层或更多层。

缩短产品上市周期

报道指出，长江存储64层三维闪存是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品，拥有同代产品中最高存储密度。创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道（VIA）将两片晶圆键合，相比传统三维闪存架构可带来更快的传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

长江存储相关负责人向《大公报》表示，长江存储64层三维闪存产品的量产，将使中国与世界一线三维闪存企业的技术差距缩短到两年以内。

紫光集团联席总裁刁石京表示，长江存储进入到这个领域之前，国内一直没有大规模存储芯片的生产，未来，随着云计算、大数据的发展，人类对数据存储要求是越来越高，三维闪存存储芯片是高端芯片一个重要领域，它的量产也标志着中国离国际先进水平又大大跨近一步，把中国产品水平跟海外的先进水平缩短到了一代。

明年底月产六万片晶圆

报道称，存储芯片竞争激烈，三星、海力士、东芝、西部数据、美光、英特尔等巨头在产能上持续投入。2018年，64层、72层的3D NAND闪存就已经是主力产品，2019年开始量产92层、96层的产品，到2020年，大厂们即将进入128层3D NAND闪存的量产。

业界有关人士分析，长江储存发展迅速，但目前表态保守，其虽然未公布量产规模，预计2020年底其可望将产能提升至月产6万片晶圆的水平。

据报道，长江存储64层三维闪存产品的量产有望使中国存储芯片自产率从8%提升至40%。在美日韩大厂垄断下，长江存储的64层3D NAND闪存量产消息别具意义。

业界预测，长江存储最快明年跳过96层直接进入128层三维闪存，实现弯道超车。据悉，长江存储已推出Xtacking2.0规划，借以提升NAND吞吐速率、提升系统级存储的综合性能、开启定制化NAND全新商业模式等，相关产品将被广泛应用于数据中心，企业级服务器、个人电脑和移动设备等领域。