三星抢跑:官宣量产3纳米芯片 领先台积电一个身位
财联社6月30日讯(实习编辑周子意)据韩联社报道,全球最大的存储芯片制造商三星电子公司周四(30日)表示,该公司已经开始大规模生产3纳米芯片,成为全球首个量产该芯片的公司。
新一代3纳米芯片的基于尖端半导体制造技术——环绕式栅极(Gate-All-Around,GAA)技术。三星表示,与现有的FinFET工艺相比,GAA技术允许芯片的尺寸缩小35%,同时性能提高30%、能耗降低50%。
三星表示,其3纳米芯片的工艺节点已经实现了尺寸缩小16%、性能提高23%、能耗降低45%。
三星抢先手以吸引客户
3纳米芯片目前是最先进的芯片制造工艺节点。三星在此节点上抢先手,主要目标还是夺取新客户,希望在代工能力上超越其最大的竞争对手台积电(TSMC)。
台积电此前表示,将在下半年开始大规模生产3纳米芯片。台积电是中国台湾地区的一家全球知名半导体芯片制造商,业内称之全球芯片“代工之王”,三星的代工能力位居其后。
根据行业跟踪机构TrendForce的数据,今年第一季度,台积电占据了全球代工市场的53.5%,其次是三星,占16.3%。
两家公司为赢得更多代工芯片的客户,一直处在激烈竞争中。三星表示,其2nm工艺节点处于开发的早期阶段,计划将于2025年大规模生产。=
分析师:台积电的代工地位尚不可撼动
2019年,三星公布了一项171万亿韩元(合1510亿美元)的大规模投资计划,以期到2030年在逻辑芯片和代工领域超越台积电,成为行业领先者。
上个月自拜登总统到访三星工厂后,三星公司还公布了一项在芯片业务方面的新投资计划,希望加强芯片代工业务,巩固自己的领先地位。
不过分析师表示,虽然三星是存储芯片市场的领导者,但在更为多元化的代工业务上,台积电的投入超过了三星,这使得三星仍难以与之抗衡。
Daol投资证券的分析师Kim Yang-jae表示,“目前只有两种存储芯片——DRAM和NAND闪存,然而非存储芯片的种类太多了。你可以专注于提高存储芯片的效率这一件事,但这在一千种不同的非存储芯片领域,这是行不通的。”
香港未来资产证券(Mirae Asset Securities)的数据显示,2017年-2023年,三星资本支出的复合年均增长率(CAGR)估计为7.9%,而台积电估计为30.4%。
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