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存储芯片领域,中国迎来打破美日韩垄断关键一战(2)

存储芯片领域,中国迎来打破美日韩垄断关键一战(2)
2019-09-11 12:09:18 参考消息网

紫光集团联席总裁刁石京表示,长江存储进入到这个领域之前,国内一直没有大规模存储芯片的生产,未来,随着云计算、大数据的发展,人类对数据存储要求是越来越高,三维闪存存储芯片是高端芯片一个重要领域,它的量产也标志着中国离国际先进水平又大大跨近一步,把中国产品水平跟海外的先进水平缩短到了一代。

明年底月产六万片晶圆

报道称,存储芯片竞争激烈,三星、海力士、东芝、西部数据、美光、英特尔等巨头在产能上持续投入。2018年,64层、72层的3D NAND闪存就已经是主力产品,2019年开始量产92层、96层的产品,到2020年,大厂们即将进入128层3D NAND闪存的量产。

业界有关人士分析,长江储存发展迅速,但目前表态保守,其虽然未公布量产规模,预计2020年底其可望将产能提升至月产6万片晶圆的水平。

据报道,长江存储64层三维闪存产品的量产有望使中国存储芯片自产率从8%提升至40%。在美日韩大厂垄断下,长江存储的64层3D NAND闪存量产消息别具意义。

业界预测,长江存储最快明年跳过96层直接进入128层三维闪存,实现弯道超车。据悉,长江存储已推出Xtacking2.0规划,借以提升NAND吞吐速率、提升系统级存储的综合性能、开启定制化NAND全新商业模式等,相关产品将被广泛应用于数据中心,企业级服务器、个人电脑和移动设备等领域。

(责任编辑:任宪奎 CF001)
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